Project R-326

Titel

Betrouwbaarheid van LD-MOS transistoren.

Abstract

Het nameten van de betrouwbaarheid van LD.MOS technologie stelt enkele technisch uitdagende problemen. Zo moeten er lekstromen gemeten worden die veroorzaakt worden door relatief hoge spanningen (enkele honderden volts). De bruikbaarheid van onze in-situ meetmethode, waarvan de partners expliciet de toepassing vragen, onder deze experimentele condities dient nog onderzocht te worden. In het bijzonder dient nagegaan te worden hoe de zeer kostbare meetinstrumenten kunnen beveiligd worden indien oxide-doorslag zou optreden (wat een te verwachten falingsmechanisme in LD.MOS transistoren is). Deze ontwikkeling zal binnen het VIS project gebeuren.

Periode

01 januari 1999 - 31 december 1999