Project R-6627

Titel

Tournesol project: Hole transport in n-type CVD diamond under high injection current in pseudo-vertical MOSFET.

Abstract

Doorheen de eeuwen heeft diamant de mensen gefascineerd, en vrij recent heeft onderzoek het mogelijk gemaakt voor wetenschappers om diamant te kweken in een laboratorium. Wanneer onzuiverheden, zoals boor of fosfor, in de constructie worden toegevoegd tijdens de ontwikkeling wordt diamant elektrisch geleidend. Fosfor is een uitdagend doteringsmiddel, dat diamant verandert in een n-type semi-geleider waar elektronen de hoofdladingsdrager zijn. In het geval van metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) wordt n-type laag echter omgekeerd door een elektrisch veld waardoor de gaten de lading overbrengen. Met de verwezenlijking van kwalitatieve n-type diamant werd een opportuniteit gecreëerd om extreme fysica te onderzoeken met dit uitzonderlijke materiaal. Veel fundamentele vragen wachten op een antwoord, die nu onderzocht kunnen worden omwille van de unieke kenmerken van diamant. Een van de interessantste eigenschappen van diamant is haar weerstand in high power omstandigheden. Dit project heeft als doel om het fundamentele gedrag van gaten in de inversieregio van de n-type diamant te begrijpen onder hoogspanningsvelden en injectiestromen. Tot nu toe zijn er geen demonstraties of fundamentele onderzoeken van zo een voorbeeld. Dit is dus zeker een veelbelovend onverkend gebied met belangrijk potentieel voor fascinerende resultaten.

Periode

01 januari 2016 - 31 december 2017