Project R-6601

MIRIS: Monolithic infrarood beeldsensor (Onderzoek)

Het MIRIS project heeft als doel nieuwe technologie te ontwikkelen voor monolithische beeldsensoren gevoelig in het nabij-infrarode (NIR) golflengtegebied. In vergelijking met de huidige hybride infrarood beeldsensoren, geeft het gebruik van nieuwe organische dunne-film fotoactieve materialen en de integratie ervan met een CMOS uitlees circuit, aanleiding tot een hogere beeldresolutie en een goedkoper productieproces. Essentieel voor het MIRIS project zijn de ontwikkeling van nieuwe foto-actieve materialen en fotodetectoren, en de integratie ervan met een specifiek CMOS beeldsensor uitlees circuit. Hierdoor kan men beelden detecteren in het nabij-infrarood spectrum, dit is licht met een golflengte hoger dan 0.7 micrometer. Enerzijds zorgt dit voor een breder spectrum ten opzichte van standaard silicium gebaseerde beeldsensoren. De depositie en integratie van een dunne film fotodetectie laag maakt anderzijds de ontwikkeling van een monolithische beeldsensor mogelijk. Dit resulteert in een kostenbesparing met ongeveer een factor 10 ten opzichte van huidige hybride NIR beeldsensoren waarbij een InGaAs beeldsensor geïntegreerd wordt wordt op een CMOS uitleescircuit. Deze monolithische benadering maakt tevens een veel hogere beeldresolutie mogelijk (met een pixel pitch van 5 micrometer) tegenover de huidige hybride oplossingen.

01 januari 2016 - 31 december 2019