Project R-5816

Titel

Verticale CVD diamant Schottky barrière diodes

Abstract

Het veelzijdige gebruik van elektriciteit en de omzetting ervan in verscheidene geschikte vormen vraagt het gebruik van verschillende elektronische systemen met een hoog vermogen. Wide band gap halfgeleiders, zoals diamant, zijn perfect om aan deze noden te voldoen. Dit onderzoeksproject doelt op de ontwikkeling van diamantdiodes die hoge forward current niveaus en reverse breakdown voltages bezitten die de huidige state-of-the-art apparaten voorbijstreven. De prototypes zijn gebaseerd op een gestapelde structuur opgebouwd uit zwakke en sterk boor gedopeerde films, die epitaxiaal gegroeid worden op diamant substraten. Daarnaast, via de samenwerking met Universität Augsburg, zullen diodes gefabriceerd worden op heterotaxiaal gegroeid B-gedopeerd diamant. Dit laat toe om de invloed van dislocaties op de elektrische kenmerken te bestuderen. Dit voorstel brengt het veld van afzetting en karakterisatie van gedopeerde diamant samen met de fabricatie van apparaten aangepast aan elektronica met een hoog vermogen. Eerst, worden de gegroeide diamantlagen, de afzonderlijke elementen van het apparaat, gekarakteriseerd om hun kristallijne en elektronische eigenschappen te onthullen. Later, zal de implementatie van verschillende technieken om de verticale apparaat structuur te definiëren bestudeerd worden. Tot slot, worden de elektrische eigenschappen van de apparaten bestudeerd om bewijs te leveren voor hun uitzonderlijke prestatie als nieuwe diodes met een hoog vermogen.

Periode

01 januari 2015 - 31 december 2018